文献

J-GLOBAL ID：201002242857341887   整理番号：10A0083978

底部接触ペンタセン薄膜トランジスタ用の導電性ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンソース/ドレイン電極のアミノシラン単分子層支援パターン化

Aminosilane monolayer-assisted patterning of conductive poly(3,4-ethylenedioxythiophene) source/drain electrodes for bottom contact pentacene thin film transistors

著者 (8件)： PANG Ilsun (Center for Materials and Processes of Self-Assembly, School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul ...) ,  KIM Hyunho (Center for Materials and Processes of Self-Assembly, School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul ...) ,  KIM Sungsoo (Dep. of Nanopolymer Materials Engineering, Pai Chai Univ., Daejeon 302-735, KOR) ,  JEONG Kyunghoon (Center for Materials and Processes of Self-Assembly, School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul ...) ,  JUNG Hyun Suk (Center for Materials and Processes of Self-Assembly, School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul ...) ,  YU Chung-jong (Pohang Accelerator Lab., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  SOH Hoesup (Center for Materials and Processes of Self-Assembly, School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul ...) ,  LEE Jaegab (Center for Materials and Processes of Self-Assembly, School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 2  ページ： 338-343  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,予めパターン化した(3-アミノプロピル)トリメトキシシラン(APS)単分子層にポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン(PEDOT)の選択成長からなるボトムアップ過程を用い,導電性PEDOT電極を有する有機薄膜トランジスタ(OTFT)の作製を報告した。新開発したボトムアップ過程は酸化基板に強力に接着した選択的で均一パターン化PEDOTを製造できた。更に,PEDOT/APS二重構造はAu/Ti電極よりもほぼ一桁の大きさの低い漏洩電流と接触抵抗を示した。一層低い漏洩電流はPEDOT/APS構造中のAPS単分子層による付加的遮蔽効果によるもであった;一層低い接触抵抗は金電極のペンタセン薄膜よりもPEDOT電極上のペンタセン薄膜の良好な品質に帰すことができた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  *半導体薄膜 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電極材料 ,  *ポリエチレンジオキシチオフェン ,  導電性高分子 ,  パターン形成 ,  単分子層 ,  自己組織化 ,  二重構造 ,  漏れ電流 ,  *接触抵抗 ,  電流電圧特性 ,  比較試験 ,  金電極 ,  電磁遮蔽 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： PEDOT ,  ゲート電極 ,  パターン化 ,  有機薄膜トランジスタ ,  漏洩電流 ,  遮蔽効果

分類 (2件)： 三環以上の炭素橋かけ多環化合物  (CF06110B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： (3-アミノプロピル)トリメトキシシラン ,  ペンタセン

タイトルに関連する用語 (8件)： ペンタセン ,  薄膜トランジスタ ,  導電性 ,  ドレイン ,  アミノシラン ,  単分子層 ,  支援 ,  パターン化