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J-GLOBAL ID：201002242940883578   整理番号：10A1106772

長チャネル非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける低周波雑音

Low frequency noise in long channel amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors

著者 (3件)： FUNG Tze-ching (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Solid-State Electronics Lab., Univ. of Michigan, Ann Arbor ...) ,  BAEK Gwanghyeon (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Solid-State Electronics Lab., Univ. of Michigan, Ann Arbor ...) ,  KANICKI Jerzy (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Solid-State Electronics Lab., Univ. of Michigan, Ann Arbor ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 7  ページ： 074518  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二酸化ケイ素(SiO₂)ゲート誘電体を有する反転スタガード非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)における低周波雑音特性を研究した。ゲート面積への雑音レベルの依存性は,1/f雑音が支配的源であって,TFT寄生抵抗からの寄与は長チャネル素子において無視できることを示した。ゲート電圧依存雑音データは,移動度ゆらぎ(Δμ)モデルに厳密に従い,Hoogeのパラメータ(α_H)は,~1.52×10^-3と導出され,a-Si:H TFTに関して報告されたα_Hよりはるかに低かった。最後に,比較研究において,無アニールa-IGZO TFTにおける雑音レベルは,アニール素子におけるそれより高いことが分かった。現在の結果は,このa-IGZO TFT試料における1/f雑音が活性層品質(すなわち,伝導帯テール及び/または深ギャップ状態)に敏感であることを示唆した。加えて,a-IGZO TFTにおける観測された低い雑音は,非晶質酸化物半導体におけるs軌道伝導に関係付けることができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *非晶質 ,  二酸化ケイ素 ,  *低周波雑音 ,  1/f雑音 ,  移動度 ,  アニーリング【現象】 ,  活性層 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  ゲート誘電体 ,  酸化物半導体

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  雑音測定  (ND04030F)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャネル ,  非晶質 ,  In-Ga-Zn-O ,  薄膜トランジスタ ,  低周波雑音