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J-GLOBAL ID：201002243048890400   整理番号：10A0389594

非晶質ゾルゲルTiO₂膜の高密度化 X線反射率測定法による研究

Densification of amorphous sol-gel TiO₂ films: An X-ray reflectometry study

著者 (2件)： VIVES Serge (FEMTO-ST/ENISYS, Univ. de Franche-Comte, UMR 6174-CNRS, 4 place Tharradin BP 71427, 25211 Montbeliard Cedex, FRA) ,  MEUNIER Cathy (FEMTO-ST/ENISYS, Univ. de Franche-Comte, UMR 6174-CNRS, 4 place Tharradin BP 71427, 25211 Montbeliard Cedex, FRA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 14  ページ： 3748-3753  発行年： 2010年05月03日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾルゲルTiO₂薄膜をソーダ石灰ガラス基板上にテトライソプロポキシドを前駆体として浸漬被覆した。4つの引き上げ速度を試し,結果の乾燥膜を400°C,450°Cおよび500°Cで1時間アニールした。すれすれ入射X線回折は,アニール温度の如何にかかわらず膜が非晶質であることを明らかにした。薄膜高密度化を研究するために,X線反射率測定曲線を3層Parrotモデルと歪波Born近似(DWBA)ボックスモデルにあてはめた。膜表面と膜-基板界面に局在した高密度層の存在がアニールした膜について証拠付けられた。DWBAあてはめ法は,膜厚方向の密度勾配,恐らく初期充填密度および基板による拘束によるもの,を指摘することを可能とした。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  *酸化チタン ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ゾル-ゲル法 ,  ソーダ石灰ガラス ,  基板 ,  薄膜成長 ,  焼なまし ,  すれすれ入射 ,  X線回折 ,  *X線反射 ,  歪波Born近似 ,  浸漬塗装 ,  *密度 ,  深さ分布
準シソーラス用語： *二酸化チタン

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  X線回折法  (BK01020I)

物質索引 (1件)： テトライソプロポキシチタン(IV)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非晶質 ,  ゾル ,  ゲル ,  TiO2 ,  高密度化 ,  X線反射率測定 ,  研究