単一原子充填CoSb<sub>3</sub>の電子構造と輸送的性質

ZHOU An; LIU Li-Sheng; ZHAI Peng-Cheng; ZHAO Wen-Yu; ZHANG Qing-Jie

文献

J-GLOBAL ID：201002243050566733 整理番号：10A1340446

単一原子充填CoSb₃の電子構造と輸送的性質

Electronic Structures and Transport Properties of Single-Filled CoSb₃

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資料名：
巻： 39 号： 9 ページ： 1832-1836 発行年： 2010年09月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高い熱電(TE)性能指数を得るためにはCoSb₃の熱伝導率を下げる一方で力率を増加させる必要がある。そのためにCoSb₃にn複数の原子を充填させる研究が報告されているが,そのような手法では充填する原子の組合せが難しい。本稿では種々の単一原子充填CoSb₃を調べ電気輸送特性や熱的性質を理解する。7種類の原子で単一原子充填したCoSb₃(R_0.125Co₄Sb₁₂)のバンド構造と状態密度を密度関数法により計算した。その結果,バンド構造ではあまり変化が見られず,少量のR原子はバンド構造を変えないことがわかった。電子構造に基づき電気輸送および熱的性質を計算した。その結果,R=Sn,In,Tlの場合に軌道の相互作用のためSeebeck係数が上昇することがわかった。原子がBa,Caおよびランタノイド系元素の場合は,その大きな電子濃度のためSeebeck係数は劇的に減少した。

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半導体結晶の電気伝導 , 半導体結晶の電子構造

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単一原子充填CoSb3の電子構造と輸送的性質

単一原子充填CoSb₃の電子構造と輸送的性質