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J-GLOBAL ID：201002243104437080   整理番号：10A1119012

新規のTiTeバッファー層型Cu-GeSbTe/SiO₂電気化学抵抗メモリ(ReRAM)

A Novel TiTe Buffered Cu-GeSbTe/SiO₂ Electrochemical Resistive Memory (ReRAM)

著者 (7件)： LIN Yu-Yu (Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LEE Feng-Ming (Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Yi-Chou (Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  CHIEN Wei-Chih (Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  YEH Chiao-Wen (Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  HSIEH Kuang-Yeu (Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LU Chih-Yuan (Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2010  ページ： 71-72  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規の固体電解質に基づく電気化学誘起導電ブリッジ(CB)型抵抗メモリ(ReRAM)を作製し,その特性を評価した。この新素子は,CuドープGeSbTeイオン源,SiO₂メモリ層とTiTeバッファー層からなる。Cu導電ブリッジからCuイオン源を分離するため,TiTeバッファー層を用いた3層構造を提案した。このCuイオン供給層とメモリ層間にTiTeバッファー層を挿入することにより,CBからCu源層へのCuの拡散(溶解)を防止し,信頼性を劇的に改善した。このフォーミング(成形)フリー素子は,低プログラミング電流と高動作速度を有するとともに,データ保持とサイクル耐久性を大幅に改善した。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *電気抵抗 ,  チタン化合物 ,  テルル化合物 ,  バッファ層 ,  銅 ,  ドーピング ,  ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  二酸化ケイ素 ,  固体電解質 ,  イオン源 ,  電気化学 ,  信頼性 ,  保持 ,  *スイッチング ,  *不揮発性メモリ
準シソーラス用語： ReRAM ,  電気化学抵抗メモリ ,  データ保持 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： バッファー層 ,  Cu ,  SiO2 ,  電気化学 ,  抵抗メモリ ,  ReRAM