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J-GLOBAL ID：201002243233911049   整理番号：10A1456899

液相析出酸化物マスクによるエッチングを基にしたシリコンテクスチャリング法

A Silicon Texturing Technique Based on Etching Through a Liquid-Phase Deposited Oxide Mask

著者 (2件)： ESFANDIARPOUR Behzad (Univ. Waterloo, Ontario, CAN) ,  SIVOTHTHAMAN Siva (Univ. Waterloo, Ontario, CAN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 12  ページ： D97-D99  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学エッチング法を酸化物層のLPDを用いるシリコン表面テクスチャリングのために開発した。H₂SiF₆酸とエタノールの水溶液を頻繁に用いられるHF溶液の代わりに電気化学エッチングの電解液として用いた。得られたテキスチャ表面はかなり均一でありエッチング速度はうまく制御できる。この配向非依存テクスチャリング法は単結晶Si球の表面にうまく適用でき,1.5μm領域で逆半球状組織をもたらした。エッチング機構の他に関連化学反応も検討した。この方法は全結晶性Si系太陽電池及び先進的デバイスに適用できる。

シソーラス用語： *エッチング ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  原子間力顕微鏡 ,  テキスチャード加工 ,  ケイ素 ,  フルオロケイ酸 ,  *マスク ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： *テクスチャリング ,  *シリコン ,  電気化学エッチング ,  ヘキサフルオロケイ酸

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  化学一般その他  (CA01060X)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (6件)： 液相析出 ,  酸化物 ,  マスク ,  エッチング ,  シリコン ,  テクスチャリング