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J-GLOBAL ID：201002243396082147   整理番号：10A0598171

室温の深い紫外線照射による非晶質金属酸化物半導体の永久光ドーピング

Permanent optical doping of amorphous metal oxide semiconductors by deep ultraviolet irradiation at room temperature

著者 (7件)： SEO Hyungtak (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  CHO Young-je (Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  KIM Jinwoo (Dep. of Materials Sciences and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  M.BOBADE Santosh (Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  PARK Kyoung-youn (Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  LEE Jaegab (School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR) ,  CHOI Duck-kyun (Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 22  ページ： 222101  発行年： 2010年05月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温において非晶質InGaZnO(a-IGZO)の2光子紫外線(UV)照射に誘起された永久n型ドーピングの研究を報告する。UV照射下で過剰な光誘起電子が生じて,Fermi準位が伝導バンド端に向かって変化する。これは酸化界面での正孔除去過程が原因となって起こる。この光n型ドープa-IGZOチャネルを使うと,キャリア密度が10¹⁶cm^-3のバックグラウンドレベルから~10¹⁸cm^-3へ増大し,~10⁸のオン-オフ電流比や22.7cm²/Vsでの電界効果移動度などa-IGZO薄膜トランジスタパラメータのUV照射による全体的な増強が生じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトドーピング ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化物 ,  化合物半導体 ,  非晶質半導体 ,  N型半導体 ,  紫外線照射 ,  Fermi準位 ,  伝導バンド ,  キャリア密度 ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  二光子吸収 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 光ドーピング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  紫外線照射 ,  非晶質金属 ,  酸化物半導体 ,  永久 ,  光ドーピング