文献

J-GLOBAL ID：201002243458023150   整理番号：10A0780312

高アスペクト比移植可能MEMS構造に対するウエハスケールエッチング技術

A wafer-scale etching technique for high aspect ratio implantable MEMS structures

著者 (4件)： BHANDARI R. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Utah, 50 South Central Campus Drive, Salt Lake City, UT 84112, USA) ,  NEGI S. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Utah, 50 South Central Campus Drive, Salt Lake City, UT 84112, USA) ,  RIETH L. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Utah, 50 South Central Campus Drive, Salt Lake City, UT 84112, USA) ,  SOLZBACHER F. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Utah, 50 South Central Campus Drive, Salt Lake City, UT 84112, USA)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 162  号： 1  ページ： 130-136  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロシステム技術は,神経組織を記録し刺激することを意図したUtah電極アレイ(UEA)などの微小電極アレイをバッチ製造することに対してよく適している。UEAの製造は,電極を突き抜け高アスペクト比(15:1)を達成するためのダイシングおよびウェットエッチングの使用に主として基づいた。アレイ製造における重要なステップは,鋭い先端をもつ針形状電極を作成するための電極のエッチングであった。従来のエッチングプロセスを単一アレイに実施し,エッチング条件は最適化しなかった。結果として,このプロセスはアレイ内の電極の可変形状に導いた。さらにこのプロセスは時間がかかるだけでなく労働集約であった。本論文では,UEAに対するウエハスケールエッチング法について述べた。本方法は,プロセス時間におけるかなりの減少,高スループットおよび低価格などのいくつかの長所を提供した。更に重要な点は,本方法は,アレイ内の電極間の形状一様性(不均一性1.5±0.5%)およびウエハ内のアレイ間の形状一様性(不均一性2±0.3%)を向上した。またダイシングにより形成したシリコン柱のエッチング速度を,硝酸リッチのHF-HNO₃溶液において,温度,エッチング時間およびかくはん速度の関数として調べた。これらのパラメータは,調べている領域でのエッチング速度に関連すること,より重要なことはエッチングしたシリコン柱の不均一性に影響を与えることを見出した。ウエハスケールで均一形状電極を達成するための最適エッチング条件を構築した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アスペクト比 ,  移植【動物】 ,  *MEMS ,  ウエハ【IC】 ,  *エッチング ,  神経組織 ,  微小電極 ,  針 ,  スループット ,  柱 ,  硝酸 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  シリコン ,  ダイシング加工 ,  フッ酸 ,  マイクロシステム ,  *電極アレイ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高アスペクト比 ,  移植 ,  MEMS