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J-GLOBAL ID：201002243659967645   整理番号：10A0356278

MoO₃/有機半導体界面の電子構造と正孔注入性質に及ぼす汚染の影響

Effect of contamination on the electronic structure and hole-injection properties of MoO₃/organic semiconductor interfaces

著者 (4件)： MEYER J. (Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  SHU A. (Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  KROEGER M. (InnovationLab GmbH, Speyerer Strasse 4, 69115 Heidelberg, DEU) ,  KAHN A. (Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 13  ページ： 133308  発行年： 2010年03月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外線光電子分光法と逆光電子分光法と電流-電圧測定により大気汚染三酸化モリブデン(MoO₃)表面の電子構造と正孔注入性質を研究する。汚染は仕事関数(WF),電子親和性(EA)とイオン化エネルギーを,汚染されていない蒸着膜に対して約1eV低下させ,それぞれ5.7eV,5.5eVと8,6eVにした。しかしながら,MoO₃の正孔注入性質が汚染に影響されない程WAとEAは十分大きいままである。結果は,低真空あるいは真空でない環境におけるデバイスの低コスト製造用の遷移金属酸化物の可能性ある応用の点から特に重要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化モリブデン ,  紫外光電子スペクトル ,  逆光電子放出分光法 ,  電流電圧特性 ,  正孔 ,  *キャリア注入 ,  仕事関数 ,  電子親和力 ,  イオン化ポテンシャル ,  *有機半導体 ,  *界面 ,  表面準位 ,  *汚染

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機半導体 ,  界面 ,  電子構造 ,  正孔注入 ,  性質 ,  汚染