文献

J-GLOBAL ID：201002243745529138   整理番号：10A1619481

有機抵抗記憶素子の三次元集積

Three-Dimensional Integration of Organic Resistive Memory Devices

著者 (10件)： SONG Sunghoon (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  CHO Byungjin (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  KIM Tae-Wook (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  JI Yongsung (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  JO Minseok (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  WANG Gunuk (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  CHOE Minhyeok (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  KAHNG Yung Ho (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  HWANG Hyunsang (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  LEE Takhee (Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 44  ページ： 5048-5052  発行年： 2010年11月24日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ケイ素/ケイ素基板上にアルミニウム電極パターンを形成し,p-フェニレンジアミン-ビフェニルテトラカルボン酸無水物ポリイミド前駆体,PCBMのN-メチル-2-ピロリドン溶液をスピンコート,熱処理してポリイミド-PCBMブレンド層を形成した(第1層)。アルミニウム電極形成,スピンコートの反復(3層)により8×8クロスバー三次元スタックからなる有機抵抗記憶集積素子を作製した。各層の個別の記憶セルの制御および参照が可能である。電流電圧特性を測定した。書き込み-読み出し-消去-読み出し繰返し試験(60回)でオンオフ比10³が維持されることを確かめた。5×10³sの持続試験により記憶が維持されることを確認した。

シソーラス用語： 酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  電極 ,  パターン形成 ,  *ポリイミド ,  *フラーレン ,  スピンコーティング ,  熱処理 ,  *高密度実装 ,  スタック方式 ,  *電気抵抗 ,  アレイ回路 ,  *記憶素子 ,  電流電圧特性 ,  繰返し試験 ,  *高分子有機-無機ハイブリッド ,  芳香族アミン ,  ジアミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： PCBM ,  アルミニウム電極 ,  オンオフ比 ,  ケイ素基板 ,  メモリアレイ ,  三次元構造 ,  三次元実装 ,  集積化

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  集積回路一般  (NC03161C)

物質索引 (2件)： N-メチル-2-ピロリドン ,  p-フェニレンジアミン

タイトルに関連する用語 (2件)： 抵抗記憶素子 ,  三次元集積