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J-GLOBAL ID：201002243951236783   整理番号：10A1611664

アノード構造を改良した高速・高破壊耐量SOI横型ダイオードの開発

Development of high speed and highly rugged SOI lateral diode with improved anode structure

著者 (7件)： 鈴木隆司 (豊田中研) ,  木村大至 (豊田中研) ,  櫻井晋也 (デンソー) ,  高橋茂樹 (デンソー) ,  白木聡 (デンソー) ,  戸倉規仁 (デンソー) ,  杉山隆英 (豊田中研)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-10  号： 83-89.91-98  ページ： 65-70  発行年： 2010年11月29日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 600V 2Aの定格を持つ高速・高破壊耐量SOI横型ダイオードの低注入の効率化とリカバリ時のダイナミックアバランシェの抑制を目指して,アノード構造を検討した。前者に関しては,pショットキー/p⁺オーミック構造が有効であることを実験およびシミュレーションの結果により明らかにした。また,大きなdi/dtでリカバリ動作させたときに発生するダイナミックアバランシェとこれによる素子の破壊は,アノードpウェルよりも接合深さが深いdeep Pをトレンチ溝側に付加することにより,リカバリ時の電界が緩和され,アバランシェを効果的に抑制できることが分かった。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *アバランシェダイオード ,  効率化 ,  キャリア注入 ,  *電子なだれ ,  *アノード ,  素子構造 ,  シミュレーション ,  インバータ
準シソーラス用語： *ダイナミックアバランシェ

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (7件)：

• 平山, 舟木, 山口, 中川:「横型SOI高速ダイオードの逆回復特性」, 電気学会研究会資料, EDD-98-61, pp. 21-26 (1998-2-19)
• A. Nakagawa, H. Funaki, Y. Yamaguehi, and K. Hirayama:“Design Optimization of 500V Lateral SOI High Speed Diodes”, Proc. PCIM International ’98, pp. 9-12 (Apr. 1998)
• H. Funaki, Y. Yamaguchi, K. Hirayama, and A. Nakagawa:“Lateral SOI Diode Design Optimization for High Ruggedness and Low Temperature Dependence of Reverse Recovery Characteristics”, Proc. ISPSD ’98, pp. 33-36 (Jun. 1998)
• A. Nakagawa, H. Funaki, Y. Yamaguchi, and F. Suzuki:“Improvement in Lateral IGBT Design for 500V 3A One Chip Inverter ICs”, Proc. ISPSD ’99, pp. 321-324 (May 1998)
• 山本, 加藤, 戸倉, 中川:「横型SOI高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析とその抑制構造の検討」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会資料EDD-10-093 (2010-11-29)

タイトルに関連する用語 (7件)： アノード ,  破壊 ,  耐量 ,  SOI ,  横型 ,  ダイオード ,  開発