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J-GLOBAL ID：201002243985412408   整理番号：10A0822930

強誘電半導体TlInS₂の不整合相での活性化された不純物状態

Activated impurity states in the incommensurate phase of ferroelectric semiconductor TlInS₂

著者 (3件)： SEYIDOV Mirhasan Yu. (Dep. of Physics, Gebze Inst. of Technol., Kocaeli, 41400 Gebze, TUR) ,  SULEYMANOV Rauf A. (Dep. of Physics, Gebze Inst. of Technol., Kocaeli, 41400 Gebze, TUR) ,  SALEHLI Ferid (Dep. of Physics, Istanbul Technical Univ., Maslak, 34469 Istanbul, TUR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 2  ページ： 024111  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TlInS₂単結晶の誘電関数εに及ぼす不整合相内でのアニーリングの影響を調べた。アニーリングの影響は電気活性不純物Laのドーピング効果に非常に近い。この推測はアニール及びドープした結晶で観測した効果の相関がアニーリングの際における固有欠陥の活性化(分極)により生じる内部電場で制約されると考えた。未ドープのTlInS₂結晶における第二高調波発生の研究及びTlInS₂:Laにおける焦電電流から,提案したモデルを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電半導体 ,  *タリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *硫化物 ,  単結晶 ,  不整合相 ,  焼なまし ,  ランタン ,  添加物効果 ,  電気双極子 ,  電場 ,  第二高調波発生 ,  焦電気 ,  *誘電率 ,  温度依存性 ,  転移温度
準シソーラス用語： アニール ,  欠陥双極子 ,  内部電場 ,  焦電電流

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電半導体 ,  不整合相 ,  活性化 ,  不純物状態