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J-GLOBAL ID：201002243991920580   整理番号：10A0177904

UV-IR透明強誘電性BaMgF₄中のネオジムドーピング

Neodymium doping in UV-IR transparent ferroelectric BaMgF₄

著者 (7件)： VILLORA E. G. (National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  MOLINA P. (Dpto. Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, ESP) ,  ALVAREZ S. (Dpto. Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, ESP) ,  GARCIA-SANTIZO J. V. (Dpto. Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, ESP) ,  RAMIREZ M. O. (Dpto. Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, ESP) ,  SHIMAMURA K. (National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  BAUSA L. E. (Dpto. Fisica de Materiales, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, ESP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 3  ページ： 033106  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電性弗化物BaMgF₄結晶中のNd³⁺取込を,自己周波数変換器固体レーザへの応用可能性の観点から調べた。低温における高分解能光学分光により,Nd³⁺が十分に区別できる二部位(AとB)に位置することを示した。⁴F_3/2及び⁴I_11/2励起状態及び⁴I_9/2基底状態の全エネルギー準位集合を両Nd³⁺部位に対して同定し,BaMgF₄格子におけるそれらの結晶学的位置を論じた。⁴F_3/2準安定レーザ準位のA及びB部位に対する放射寿命としてそれぞれ1430μsと800μsを得た。支配的なA部位に対する⁴F_3/2準安定状態の発光量子効率は87%であった。結晶中にNa⁺を取入れて光学スペクトル中のB部位の寄与を消滅させる可能性を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 強誘電性 ,  *強誘電体 ,  フッ化物 ,  バリウム化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  ネオジム ,  ドーピング ,  周波数変換器 ,  *固体レーザ ,  準安定状態 ,  放射寿命 ,  量子効率 ,  *発光スペクトル ,  透明塗料 ,  結晶構造

分類 (1件)： 固体レーザ  (BD04080W)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ir ,  強誘電性 ,  ネオジム ,  ドーピング