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J-GLOBAL ID：201002244034314380   整理番号：10A1252753

定比組成Ge:Sb:Te非晶質膜の誘電緩和過程

Dielectric relaxation processes in stoichiometric Ge:Sb:Te amorphous films

著者 (6件)： SANTOS R. Ruiz (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, S. C. and Laboratorio Nacional de Nanotecnologia, Chihuahua, Chih. ...) ,  PROKHOROV E. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, S. C. and Laboratorio Nacional de Nanotecnologia, Chihuahua, Chih. ...) ,  PROKHOROV E. (CINVESTAV del IPN, Unidad Queretaro, Queretaro, Qro., 76230, MEX) ,  GONZALEZ-HERNANDEZ J. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, S. C. and Laboratorio Nacional de Nanotecnologia, Chihuahua, Chih. ...) ,  LUNA-BARCENAS G. (CINVESTAV del IPN, Unidad Queretaro, Queretaro, Qro., 76230, MEX) ,  KOVALENKO Yu. (CIATEQ A.C, Queretaro, MEX)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 356  号： 44-49  ページ： 2541-2545  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的は,定比組成のGe₁Sb₄Te₇,Ge₁Sb₂Te₄および,Ge₂Sb₂Te₅非晶質薄膜の誘電緩和過程を誘電分光法によって調査することにある。実験結果は,Havriliak-Negami経験モデルによく一致した。二つの緩和過程,つまり,低い周波数範囲(0.1~10kHz)でα緩和,高い周波数範囲(100kHz~10MHz)で二次β緩和を,本研究で用いた薄膜で観測した。α緩和では,緩和時間の温度依存性を,Vogel-Fulcher-Tammann関係式で述べることができたが,Vogel温度は,Ge₁Sb₄Te₇の280Kから,Ge₂Sb₂Te₅の291Kに増加した。高い周波数範囲で観測した二次β緩和あるいは,Johari-Goldstein緩和は,本研究で用いたすべてのGe:Sb:Te膜に対して,Arrhenius型に依存し,ほぼ同じ活性化エネルギー0.442±0.009eVであった。Ge:Sb:Te膜で観測した緩和過程に対する妥当な説明として,GeTeおよび,あるいは,Sb₂Te₃の分子あるいは,クラスターの協調的再配列と局所的再配列が関係していた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化学組成 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  *誘電緩和 ,  *スペクトロスコピー ,  モデリング ,  薄膜
準シソーラス用語： 定比組成 ,  *誘電分光法 ,  非晶質薄膜

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 組成 ,  Ge ,  Sb ,  Te ,  非晶質膜 ,  緩和過程