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J-GLOBAL ID：201002244562065139   整理番号：10A1099645

ArFフォトレジスト中のプラズマ抵抗と粗さ形成に影響を与える決定的因子

Decisive factors affecting plasma resistance and roughness formation in ArF photoresist

著者 (8件)： JINNAI Butsurin (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  UESUGI Takuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOYAMA Koji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATO Keisuke (Mitsubishi Rayon Co., Ltd, Yokohama, JPN) ,  YASUDA Atsushi (Mitsubishi Rayon Co., Ltd, Yokohama, JPN) ,  MAEDA Shinichi (Mitsubishi Rayon Co., Ltd, Yokohama, JPN) ,  MOMOSE Hikaru (Mitsubishi Rayon Co., Ltd, Hiroshima, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 39  ページ： 395204,1-8  発行年： 2010年10月06日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ処理時のArFフォトレジストに関連した困難さを克服するために,プラズマ放射の幾つかの重要な因子を調べた。UV/VUV光はレジスト膜のエッチング速度を劇的に高めたが,化学反応は表面粗さを増大させた。UV/VUV光はC=O結合よりもC-H結合を選択的に解離させた。ラジカルやイオンはC=O結合(特にラクトン基のC=O結合)と反応し易かった。その結果,エッチング速度は結合構造により異なり,フォトレジストの表面粗さを大きくした。これを防ぐには,フォトレジストの不均一性を改善し,脆弱な構造(特にラクトン基)を高分子構造で置換える必要がある。

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  フォトリソグラフィー ,  *表面粗さ ,  *プラズマ処理 ,  加工速度 ,  ラジカル ,  ラクトン ,  抵抗 ,  化学反応 ,  C-H結合 ,  FTIR分光法 ,  赤外吸収スペクトル
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  プラズマ抵抗

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ARF ,  フォトレジスト ,  プラズマ ,  粗さ ,  因子