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J-GLOBAL ID：201002245043933111   整理番号：10A1623893

二次中性質量分析によるNi-Si系の温度誘起工程における個々の界面のシフトのナノ規模での研究

Nanoscale investigations of shift of individual interfaces in temperature induced processes of Ni-Si system by secondary neutral mass spectrometry

著者 (11件)： LAKATOS A. (Dep. of Solid State Physics, Univ. of Debrecen, H-4010 Debrecen P.O. Box 2, HUN) ,  LANGER G. A. (Dep. of Solid State Physics, Univ. of Debrecen, H-4010 Debrecen P.O. Box 2, HUN) ,  CSIK A. (Inst. of Nuclear Res., Hungarian Acad. of Sciences (ATOMKI), H-4001 Debrecen P.O. Box 51, HUN) ,  CSERHATI C. (Dep. of Solid State Physics, Univ. of Debrecen, H-4010 Debrecen P.O. Box 2, HUN) ,  KIS-VARGA M. (Inst. of Nuclear Res., Hungarian Acad. of Sciences (ATOMKI), H-4001 Debrecen P.O. Box 51, HUN) ,  DAROCZI L. (Dep. of Solid State Physics, Univ. of Debrecen, H-4010 Debrecen P.O. Box 2, HUN) ,  KATONA G. L. (Dep. of Solid State Physics, Univ. of Debrecen, H-4010 Debrecen P.O. Box 2, HUN) ,  ERDELYI Z. (Dep. of Solid State Physics, Univ. of Debrecen, H-4010 Debrecen P.O. Box 2, HUN) ,  ERDELYI G. (Dep. of Solid State Physics, Univ. of Debrecen, H-4010 Debrecen P.O. Box 2, HUN) ,  VAD K. (Inst. of Nuclear Res., Hungarian Acad. of Sciences (ATOMKI), H-4001 Debrecen P.O. Box 51, HUN) ,  BEKE D. L. (Dep. of Solid State Physics, Univ. of Debrecen, H-4010 Debrecen P.O. Box 2, HUN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 23  ページ： 233103  発行年： 2010年12月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次中性質量分析とプロフィルメータを組合せて,層状系の界面のナノ規模のシフトを測定する方法を示した。Ni/非晶質Si系における固相反応時の界面シフトの研究事例によりこれを実証した。初期ナノ結晶Ni膜及び非晶質Si層の収縮の動力学と生成物相の平均成長動力学を503Kで決定した。結果はナノ規模分解能を達成でき,本方法が種々の薄膜系における固相反応追跡に有望であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *質量分析 ,  プロフィルメータ ,  層状組織 ,  固相反応 ,  金属薄膜 ,  *界面 ,  *多層膜
準シソーラス用語： *二次中性質量分析 ,  層状構造 ,  *固固界面

分類 (1件)： 固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (9件)： 中性 ,  質量分析 ,  Ni ,  Si ,  誘起 ,  界面 ,  シフト ,  規模 ,  研究