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J-GLOBAL ID：201002245441081320   整理番号：10A0846294

p型ラストバリアが青色InGaN発光ダイオードの効率垂下に及ぼす影響

Effect of P-Type Last Barrier on Efficiency Droop of Blue InGaN Light-Emitting Diodes

著者 (5件)： KUO Yen-Kuang (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  TSAI Miao-Chan (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  YEN Sheng-Horng (Epistar Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  HSU Ta-Cheng (Epistar Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  SHEN Yu-Jiun (Epistar Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 46  号： 7-8  ページ： 1214-1220  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 青色InGaN LEDは効率垂下,すなわち高電流下で発光量子効率が低下する問題があり,パルス動作のもとでも問題となっている。本稿では,青色InGaN LEDの光学的性質を改良するために,ラストエピタキシャルバリアにおけるp型ドーピングの概念を提案した。青色InGaN LEDの物理的性質や光学的性質を調べるためにAPSYSシミュレーションプログラムを用いた。シミュレーション結果から,ラストバリアは1×10¹⁸cm^-3の代表的なp型ドーピング濃度を有し,正孔注入効率の増加,バリア/EBL界面での実効バリア高さの増加,電子漏れ電流の減少,の理由で効率垂下は改良できることがわかった。結晶成長中にマグネシウムが量子井戸中に拡散するのを避けるために,ラストバリアの2/3に部分p型ドーピングを行なうLED構造について検討したが,光学的性質は全体をドーピングした場合と変わらなかった。次に,ラストエピタキシャルバリアを低濃度(1×10¹⁷cm^-3)のp型ドーピングを行なう方法を実験的に試みた。その結果,性能改良に有利であることがわかった。

シソーラス用語： *量子効率 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *発光ダイオード ,  エピタクシー ,  被覆層 ,  漏れ電流 ,  *ドーピング ,  シミュレーション
準シソーラス用語： InGaN ,  *青色発光ダイオード ,  エピタキシャル成長 ,  バリア層 ,  数値シミュレーション

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ラスト ,  バリア ,  青色 ,  InGaN ,  発光ダイオード ,  垂下