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J-GLOBAL ID：201002245511924753   整理番号：10A0611063

新SiH₄-NH₃処理による効果的表面パシベーションと界面加工高移動度HfO₂ゲートGe pMOSFETのBTI特性

Effective Surface Passivation by Novel SiH₄-NH₃ Treatment and BTI Characteristics on Interface-Engineered High-Mobility HfO₂-Gated Ge pMOSFETs

著者 (4件)： XIE Ruilong (Agency for Sci., Technol. and Res.(A*STAR), Singapore) ,  PHUNG Thanh Hoa (National Univ. Singapore, Singapore) ,  YU Mingbin (Agency for Sci., Technol. and Res.(A*STAR), Singapore) ,  ZHU Chunxiang (National Univ. Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 6  ページ： 1399-1407  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,表面パシベーションのおかげで優れたGe pMOSFETが製作されSiパシベーションが使われているが,Siパシベーションには閾値電圧の予期せぬシフトなどの問題が生じる。SiH₄-NH₃処理による窒化シリコン(SN)を使ったパシベーション技術を示す。極薄SNパシベーションは極薄Siパシベーションよりもより効果的にGeのアウトディフュージョンを抑制することがわかった。SNパシベーションによって界面品質の改善とデバイス性能向上がなされた。ポストゲート処理にフッ素を導入し,さらなる性能向上を図った。dc I-Vと高速パルス測定を用いて界面加工(Si,SiN,GeO₂)パシベーションによるバイアス温度不安定性(BTI)を調べた。BTIとデバイス性能にたいするHfO₂厚とフッ素導入を調べると,BTIとデバイス性能はHfO₂厚の低減かフッ素導入で改善されることが判明した。

シソーラス用語： 電圧 ,  MOS構造 ,  バイアス ,  熱安定性 ,  フッ素 ,  *ゲルマニウム ,  酸化ハフニウム ,  誘電体 ,  酸化膜 ,  捕獲中心 ,  *MOSFET ,  不動態化 ,  窒化ケイ素 ,  シラン ,  アンモニア ,  電流電圧特性 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *BTI ,  *パッシベーション ,  界面トラップ ,  高k誘電体

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： パシベーション ,  界面 ,  高移動度 ,  HfO2 ,  ゲート ,  Ge ,  pMOSFET ,  BTI