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J-GLOBAL ID：201002245583750776   整理番号：10A1001379

グラフェンにおける拡散熱電能

Diffusion thermopower in graphene

著者 (4件)： VAIDYA R G (Karnatak Univ., Karnataka, IND) ,  KAMATAGI M D (Government First Grade Coll., Karnataka, IND) ,  SANKESHWAR N S (Karnatak Univ., Karnataka, IND) ,  MULIMANI B G (Gulbarga Univ., Karnataka, IND)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 9  ページ： 092001,1-5  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 30~300Kの温度域におけるグラフェンの拡散熱電能,S_d,に関する数値計算の結果を報告する。計算においては,電子は不純物,空格子点,表面の粗さ,および音響フォノンと光学フォノンによって散乱されると仮定した。計算結果から,S_dは主に空格子点と不純物による散乱で決定され,温度に対して殆ど直線的に増加することが分かった。この結果は最近実験的に得られたS_dのデータと良く合致することが分かった。多くの文献に見られるMottの表式の適用限界についても議論する。また,光学フォノンによる散乱のために,S_dは直線的な温度依存性からずれることが判明した。他の散乱機構を適当に制御することによって,光学フォノンによる寄与の温度依存性はキャリア濃度に依存して観測されることが判明した。本研究で得られた結果はグラフェンにおけるS_dに対する散乱機構の寄与の相対的な重要性を理解するのに役立つ。更に,フォノンドラッグ効果を含む詳細な解析も研究中である。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *熱起電力 ,  キャリア散乱 ,  緩和時間 ,  表面粗さ ,  フォノン ,  数値計算 ,  温度依存性 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *熱電能 ,  拡散熱電能 ,  音響フォノン ,  光学フォノン

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  拡散 ,  熱電能