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J-GLOBAL ID：201002245917995180   整理番号：10A0548421

Si基板上に成長した半極性GaNの選択成長と不純物混入

Selective growth and impurity incorporation in semipolar GaN grown on Si substrate

著者 (8件)： SAWAKI N. (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN) ,  SAWAKI N. (Nagoya Industrial Sci. Res. Inst., Nagoya, JPN) ,  HONDA Y. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIKOSAKA T. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA S. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAGUCHI M. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KOIDE N. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TOMITA K. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7602  ページ： 760203.1-760203.9  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 面積選択有機金属気相エピタキシーを使用して,パターン化(001)Si基板上に窒素で終端処理した(1<span style=text-decoration:overline>1</span>01)GaN半極性膜を成長した。パターン化(001)Si基板のファセット化した傾斜(111)Si面に,高温成長したAlN緩衝層を堆積すると,GaN結晶膜の転位密度が低くなり,さらに,GaN成長が自己組織化するため,二次元成長モードとなり,表面粗さが0.2nmまで低くなった。GaN膜にマグネシウム(Mg)と炭素(C)を混入して調査した。Mgドーピング効率は,(0001)面よりも(1<span style=text-decoration:overline>1</span>01)面の方が優れていた。Cドーピングすると,(1<span style=text-decoration:overline>1</span>01)面で浅いアクセプタレベルが発生し,p型伝導を示した。

シソーラス用語： 基板 ,  ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MOCVD ,  窒化アルミニウム ,  *転位密度 ,  *表面粗さ ,  自己組織化 ,  *ドーピング ,  マグネシウム ,  炭素 ,  P型半導体 ,  *バッファ層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  成長 ,  半極性 ,  GaN ,  選択成長 ,  不純物混入