文献

J-GLOBAL ID：201002245956924184   整理番号：10A0731801

マスクモデル追加によるウエハLMC精度の向上

Wafer LMC Accuracy Improvement by Adding Mask Model

著者 (6件)： LO Wei Cyuan (United Microelectronics Corp., Tainan County, TWN) ,  CHENG Yung Feng (United Microelectronics Corp., Tainan County, TWN) ,  CHEN Ming Jui (United Microelectronics Corp., Tainan County, TWN) ,  HUANG Peter (United Microelectronics Corp., Tainan County, TWN) ,  CHANG Stephen (Brion Technol., CA, USA) ,  TSUJIMOTO Eiji (Dai Nippon Printing Co., Saitama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7640  号： Pt.2  ページ： 76402S.1-76402S.8  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウエハレベルでのシミュレーション確証精度を向上し,偽警告を減らすためにはハイエンドマスクにおけるコーナーラウンディングとかラインエンドショートニングなどのマスク効果を考慮する必要がある。著者らはマスクモデルとウエハモデルを結合してM-FEM(マスクフォーカスエネルギー行列モデル)と命名された新しいモデルを構築した。M-FEMモデルのCD平均自乗根誤差は近接効果については1.35nm,デバイスパターンについては1.75nmであった。またデバイスチップについてのM-FEM輪郭CD平均二乗根誤差はベースラインモデルの12.26nmより良い3.85nmであり,このマスクモデルがウエハLMC(リソグラフィー製造チェック)を改善できることが示された。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  半導体プロセス ,  ウエハ【IC】 ,  *フォトマスク ,  *モデリング ,  パターン形成 ,  検査 ,  計算機シミュレーション ,  補正
準シソーラス用語： 光近接効果補正 ,  最小加工寸法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： マスク ,  モデル ,  ウエハ ,  精度の向上