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J-GLOBAL ID：201002246048649779   整理番号：10A0826391

H,Si及びArイオン注入したシリコンウエハ表面の光電閾値

Photoelectric threshold of silicon wafer surfaces implanted with H, Si and Ar ions

著者 (6件)： MOMOSE Y. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  KOSAKA S. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  SAKURAI T. (Ashikaga Inst. of Technol., Ashikaga, JPN) ,  YANAGISAWA M. (Waseda Uuniversity, Tokyo, JPN) ,  NAKAYAMA K. (Chiba Inst. of Technol., Narashino, JPN) ,  NAKAYAMA K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 42  号： 6/7  ページ： 1333-1337  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自然酸化物で被覆されたシリコンウエハSi(100)表面の光電子放出(PE)スペクトルに対するH,Si及びArイオン注入の影響を調べた。イオン注入は各イオンについて10¹⁷~10²⁰原子/cm³の濃度で行った。PEスペクトルは,各試料について210nmの光を用い,25°Cで測定後,340°Cまで加熱して測定し,次いでこれを40°Cまで冷却して再び測定した。観測されたPE収率曲線は2つの異なる閾値波長φ₁とφ₂を持つ曲線で表せた。φ₁とφ₂は各々,SiO₂/Si界面状態及びバルクケイ素に帰属できた。また,これらの閾値波長より深いレベルでE′中心(≡Si・)に帰属される局在化発光中心があらたに創出されることが分かった。両閾値波長は注入イオンの種類によって変化した。閾値波長と放出電子の量は温度が高くなるとかなり増加した。局在化中心のフォトンエネルギーは注入イオンの種類にはほとんど依存せず,E′中心の生成量は高温で増加した。

シソーラス用語： *イオン注入 ,  ウエハ【IC】 ,  *ケイ素 ,  *光電子放出 ,  水素 ,  アルゴン ,  閾値 ,  陰極線ルミネセンス ,  陽子 ,  カチオン
準シソーラス用語： アルゴンイオン ,  ケイ素イオン ,  シリコンウエハ ,  陰極ルミネセンス

分類 (4件)： 界面化学一般  (CB12010J) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  光電子放出  (BM09030D) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Arイオン ,  注入 ,  シリコンウエハ ,  光電 ,  閾値