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J-GLOBAL ID：201002246461275356   整理番号：10A0052813

マグネトロンスパッタリングによって蒸着したMg-Zr-O保護膜のミクロ構造及び放電特性に対する酸素分圧の影響

Influence of oxygen partial pressure on microstructure and discharge properties of Mg-Zr-O protective films deposited by magnetron sputtering

著者 (6件)： WANG Jianfeng (State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  WU Huiyan (State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  SONG Zhongxiao (State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  LI Yanhuai (State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  XU Kewei (State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  LIU Chunliang (Key Lab. of Electronic Physics and Devices of Ministry of Education, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 28  号： 1  ページ： 88  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマディスプレイパネル用のMg-Zr-O保護膜を,ソーダ石灰ガラス基板上に,マグネトロンスパッタリングによって蒸着した。放電特性(すなわち点火電圧V_f,最小維持電圧V_s及びメモリ係数M_C)と,Mg-Zr-O膜のミクロ構造の両方への,酸素分圧の効果を調べた。結果は蒸着したMg-Zr-O膜がNaCl型構造を純MgO結晶として保持し,ドープしたZrはMgO結晶格子中のZr⁴⁺置換固溶体の形で存在することを示す。膜の粒は非常に細かく,平均粒サイズは約7nmである。酸素分圧が0.06から0.12Paに増加すると,膜のZr含有量は増加し表面粗さは減少する。しかし酸素分圧がさらに増加すると,膜はZr含有量の減少と表面粗さの増加を示す。0.12Paの酸素分圧において,Mg-Zr-O膜は最低のV_f及びV_sと最大のM_Cを持ち,最良の放電特性を示す。放電特性の向上は,Mg-Zr-O膜のエネルギーバンド構造と表面状態に関係すると思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  ジルコニウム化合物 ,  *保護膜 ,  パネル ,  *プラズマディスプレイ ,  ソーダ石灰ガラス ,  基板 ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  気体放電 ,  特性 ,  微細構造 ,  分圧 ,  酸素 ,  結晶構造 ,  格子 ,  固溶体 ,  含有量 ,  ジルコニウム ,  表面粗さ ,  バンド構造

分類 (1件)： テレビジョン受像機  (ND12033V)

タイトルに関連する用語 (8件)： マグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  Mg ,  Zr ,  保護膜 ,  ミクロ構造 ,  放電特性 ,  酸素分圧