文献

J-GLOBAL ID：201002246483988925   整理番号：10A1324345

AlNのキャリア再結合動力学への点欠陥と不純物の主な影響

Major impacts of point defects and impurities on the carrier recombination dynamics in AlN

著者 (4件)： CHICHIBU S. F. (Center for Advanced Nitride Technol., Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 ...) ,  ONUMA T. (Center for Advanced Nitride Technol., Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 ...) ,  HAZU K. (Center for Advanced Nitride Technol., Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 ...) ,  UEDONO A. (Inst. of Applied Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 20  ページ： 201904  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNのキャリア再結合動力学への点欠陥と不純物の影響を,時間分解スペクトロスコピーと陽電子消滅測定によって明らかにした。本質的に短い低温励起子放射性寿命(τ_R~10 ps)は,スレッディング転位密度にかかわりなくAl-空格子濃度の増加で,最高530psまで引き延ばされた。最高200Kまでの温度上昇による重くドープした試料でのτ_Rの連続的減少は不純物と点欠陥のために形成したバンド-尾からのキャリア放出を明らかにした。室温無放射寿命が全ての試料で等しく短かったのでAlNの放射特性を引き出すには適切な欠陥管理による高温成長が必要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *キャリア ,  *再結合 ,  点欠陥 ,  不純物 ,  時間分解分光法 ,  陽電子消滅 ,  空格子点 ,  寿命 ,  放出

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  キャリア再結合 ,  動力学 ,  点欠陥 ,  不純物