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J-GLOBAL ID:201002246495494243   整理番号:10A1539012

反応蒸発により調製した窒化シリコン膜中のEr3+の間接型励起

Indirect excitation of Er3+ ions in silicon nitride films prepared by reactive evaporation
著者 (5件):
資料名:
巻: 97  号: 22  ページ: 221902  発行年: 2010年11月29日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Erドープ窒化シリコン膜を窒素イオン流下でシリコンの反応蒸発により作成し,最高1300°Cの温度でアニールした。試料は赤外吸収及びRaman分光法,そして透過型電子顕微鏡法により調べた。1.54μmのErが関係する光ルミネセンス(PL)を488nmと325nmのポンプ励起により,構造と関連させて調べた。定常状態PL,PL励起分光法,及び時間分解PLを行った。結果から,Er3+イオンがシリコンナノ結晶と窒化シリコンマトリックス中の局在状態を介して間接的に励起されることが実証された。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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無機化合物のルミネセンス 

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