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J-GLOBAL ID：201002246516194610   整理番号：10A0169633

光学整流と光電流サージの間の破壊的干渉によるInN薄膜からのTHz波生成

THz generation from InN films due to destructive interference between optical rectification and photocurrent surge

著者 (14件)： XU Guibao (Lehigh Univ., PA, USA) ,  DING Yujie J (Lehigh Univ., PA, USA) ,  ZHAO Hongping (Lehigh Univ., PA, USA) ,  LIU Guangyu (Lehigh Univ., PA, USA) ,  JAMIL Muhammad (Lehigh Univ., PA, USA) ,  TANSU Nelson (Lehigh Univ., PA, USA) ,  ZOTOVA Ioulia B (ArkLight, PA, USA) ,  STUTZ Charles E (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  DIGGS Darnell E (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  FERNELIUS Nils (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  HOPKINS F Ken (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  GALLINAT Chad S (Univ. California, CA, USA) ,  KOBLMUELLER Gregor (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK James S (Univ. California, CA, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 1  ページ： 015004,1-5  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDおよびプラズマMBEによって成長した2シリーズのInN試料について,THz波出力パワーとTHz波偏光のポンピング偏光に対する依存性を調べた。782nmの超高速レーザパルスによって,周波数範囲300GHz~2.5THzにわたる広帯域のTHzパルスが生成された。解析の結果,THz波の支配的生成メカニズムとして,2次非線形性によって誘起される光整流と光電流サージ間における破壊的干渉を提案した。得られた最高の出力パワーは2.4μWで,厚さ220nmのMOCVD成長InN薄膜から平均ポンピング強度176Wcm^-2で得られた。同様の厚さの薄膜でこれまでに得られている値より大幅に高い出力パワーが得られた。

シソーラス用語： 光干渉 ,  *窒化インジウム ,  MOCVD ,  MBE成長 ,  *電磁波 ,  出力 ,  偏光 ,  光電流 ,  非線形性 ,  光ポンピング ,  非線形光学 ,  *半導体薄膜 ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： *THz波 ,  プラズマMBE ,  光学整流 ,  光整流

分類 (3件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光学整流 ,  光電流 ,  破壊的干渉 ,  InN ,  薄膜 ,  THz波