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J-GLOBAL ID：201002246606818582   整理番号：10A1376511

低コストエレクトロニクスに向けたチエノチオフェン誘導体におけるロバストな正孔輸送

Robust Hole Transport in a Thienothiophene Derivative toward Low-cost Electronics

著者 (8件)： OKU Shinya (Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol.) ,  TAKAMIYA Kazuhiro (Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol.) ,  ADACHI Daisuke (Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol.) ,  ISHIKAWA Shuhei (Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol.) ,  NAGAMATSU Shuichi (Dep. of Computer Sci. and Electronics, Kyushu Inst. of Technol.) ,  TAKASHIMA Wataru (Res. Center for Advanced Eco-fitting Technol., Kyushu Inst. of Technol.) ,  HAYASE Shuzi (Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol.) ,  KANETO Keiichi (Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol.)
資料名： Chemistry Letters  (Chemistry Letters)
巻： 39  号： 12  ページ： 1315-1316 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： S0742A  ISSN： 0366-7022  CODEN： CMLTAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規P型有機半導体,ビス(ヘキシルチオフェニル)チエノチオフェン,を合成し,その輸送特性を評価した。暗い空気中の条件下で,裸のSiO₂/Si上,及びフレキシブルな基板上でも,ロバストな正孔輸送が観察された。発見された性質は低コストエレクトロニクスに役立ち,デバイス作製に必要な表面調製過程を削減することができる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電子技術 ,  *硫黄複素環化合物 ,  *輸送現象 ,  ロバスト性 ,  有機半導体 ,  P型半導体 ,  化学合成 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  原価 ,  Suzuki反応 ,  疎水性 ,  シランカップリング剤 ,  HOMO ,  LUMO ,  キャリア注入 ,  キャリア移動度 ,  表面粗さ ,  原子間力顕微鏡 ,  *薄膜トランジスタ ,  イオン化ポテンシャル ,  *チオフェン類 ,  正孔注入 ,  *正孔輸送 ,  ローコスト
準シソーラス用語： Suzuki-Miyauraカップリング反応 ,  エレクトロニクス技術 ,  基板材料 ,  低コスト ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (2件)： チオフェン  (CF07074D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 2,5-ビス(5-ヘキシル-2-チエニル)チエノ[3,2-b]チオフェン

引用文献 (11件)：

• 1) a) Y. Kim, S. Cook, S. M. Tuladhar, S. A. Choulis, J. Nelson, J. R. Durrant, D. D. C. Bradley, M. Giles, I. McCulloch, C.-S. Ha, M. Ree, Nat. Mater. 2006, 5, 197.
•  b) E. Cantatore, T. C. T. Geuns, G. H. Gelinck, E. van Veenendaal, A. F. A. Gruijthuijsen, L. Schrijnemakers, S. Drews, D. M. de Leeuw, IEEE J. Solid-State Circuits 2007, 42, 84.
•  c) V. Subramanian, J. M. J. Fréchet, P. C. Chang, D. C. Huang, J. B. Lee, S. E. Molesa, A. R. Murphy, D. R. Redinger, S. K. Volkman, Proc. IEEE 2005, 93, 1330.
• 2) a) C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
•  b) H. Yang, T. J. Shin, M.-M. Ling, K. Cho, C. Y. Ryu, Z. Bao, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11542.

タイトルに関連する用語 (4件)： エレクトロニクス ,  チエノチオフェン誘導体 ,  ロバスト ,  正孔輸送