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J-GLOBAL ID：201002246746339749   整理番号：10A0565036

有機金属気相エピタクシーにより成長させたInP系InGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの1×10⁶A/cm²を超える極めて高いピーク電流密度

Extremely High Peak Current Densities of over 1×10⁶A/cm² in InP-Based InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy

著者 (5件)： SUGIYAMA Hiroki (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  TERANISHI Atsushi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Safumi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ASADA Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 5,Issue 1  ページ： 051201.1-051201.6  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピーク電流密度j_Pが極めて高いInP系InGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオード(RTD)を有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させた。660°Cの高温成長により高品質のヘテロ界面と優れた電流電圧特性を得た。極めて高いj_Pを得るために,エミッタドーピング濃度及び障壁及びスペーサ厚への電流電圧特性の依存性を調べた。障壁厚1.2~2.8nmの範囲で障壁厚へのj_Pの明白な依存性を得た。スペーサ厚を2nmに薄くすると,ピーク対谷電流比(PVR)を劣化させずにj_Pが増した。成長温度での二重障壁領域へのSiドーパント拡散の研究はスペーサ厚薄化の妥当性を支持した。Siドーピング濃度をInGaAsエミッタ中で1×10¹⁸から6×10¹⁸cm^-3に増やすとj_Pが上昇した。障壁厚1.4nm,スペーサ厚2nm,エミッタ中のSiドーピング濃度6×10¹⁸cm^-3のとき室温におけるRTDの1.5のPVRで最高j_Pは1.29×10⁶A/cm²に達した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電流密度 ,  リン化インジウム ,  半導体材料 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  ヒ化アルミニウム ,  *共鳴トンネルダイオード ,  MOCVD ,  電流電圧特性 ,  *ドーピング ,  エミッタ【半導体】 ,  ドーパント

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (32件)：

• H. Mizuta and T. Tanoue: The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes (Cambridge University Press, Cambridge, U. K., 1995) Chap. 5.
• A. Seabaugh and R. Lake: Encyclopedia of Applied Physics (Wiley-VCH, Weinheim, 1998) Vol.22, p. 335.
• E. R. Brown, J. R. Sönderström, C. D: Parker, L. J. Mahoney, K. M. Molvar, and T. C. McGill: Appl. Phys. Lett.58(1991)2291.
• M. Asada, S. Suzuki, and N. Kishimoto: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)4375.
• N. Orihashi, S. Suzuki, and M. Asada: Appl. Phys. Lett.87(2005)233501.

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  InP ,  InGaAs ,  AlAs ,  共鳴トンネルダイオード ,  電流密度