文献

J-GLOBAL ID：201002246883390050   整理番号：10A0492395

Sbを基本とする中赤外域の面発光レーザにおける熱管理技術

Technologies for thermal management of mid-IR Sb-based surface emitting lasers

著者 (5件)： PEREZ J-P (Univ. Montpellier 2, FRA) ,  LAURAIN A (Univ. Montpellier 2, FRA) ,  CERUTTI L (Univ. Montpellier 2, FRA) ,  SAGNES I (Lab. de Photonique et Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  GARNACHE A (Univ. Montpellier 2, FRA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 4  ページ： 045021,1-6  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーによって成長させたSbを基本とする中赤外域の面発光レーザにおける熱管理技術について初めて報告する。温度管理技術の重要な点の一つは,素子をヒートスプレッダとして働くSiC基板に固着し,次にSbを基本とする膜からGaSb基板を除去することである。そこで,構造の設計,ヒートスプレッダの固着技術およびGaSb基板の除去法の詳細について述べる。また,室温において2.3μmの連続レーザ光を放つ垂直外部共振器型面発光レーザの光学特性について報告する。

シソーラス用語： *アンチモン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  赤外線 ,  面発光レーザ ,  熱管理 ,  ヒートシンク ,  炭化ケイ素 ,  アンチモン化物 ,  アルミニウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *垂直共振器形面発光レーザ
準シソーラス用語： 中赤外線 ,  ヒートスプレッダ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： Sb ,  赤外域 ,  面発光レーザ ,  熱管理