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J-GLOBAL ID：201002246979443171   整理番号：10A1065714

ウエハ接合とテクスチャー構造表面により被覆した電極を用いた薄膜GaN系発光ダイオードの光抽出に関する研究

Light Extraction Study on Thin-Film GaN Light-Emitting Diodes With Electrodes Covering by Wafer Bonding and Textured Surfaces

著者 (4件)： HORNG Ray-Hua (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HORNG Ray-Hua (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LU Yi-Anne (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  WUU Dong-Sing (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 10  ページ： 2651-2654  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 櫛形埋込み電極(IIE),高反射ミラーおよびp-GaNと無ドープGaN層上の両側粗面化を用いた,テクスチャー構造n-GaN上側層型薄膜GaN系発光ダイオード(LED)の光抽出特性について調べた。IIE構造により,電極遮光効果を除くことができた。有機金属化学気相成長(MOCVD)により,その素子のGaNエピタキシャル層を(0001)サファイア基板上に成長した後,ウエハ接合,レーザリフトオフと化学的乾式/湿式エッチング方法を用いて,LED素子を作製した。n-GaN上側層型構造は,光吸収を回避し,光効率を向上するのに有用であることがわかった。電極遮光損失のないGaN/InGaN2重ヘテロ接合型LEDは,従来構造より160%高強度である,ルミナンス強度の改善(350mA注入電流で)を実現した。対称的に,p-GaN上側層型膠接合LED(GB-LED)は,n-GaN上側層型より劣るが,従来構造より120%のみ高強度であった。このことから,光効率の改善は,光抽出および表面テクスチャー構造,高反射ミラー反射体と埋込み電極構造に起因することがわかった。

シソーラス用語： 電極 ,  効率 ,  *発光ダイオード ,  窒化ガリウム ,  素子構造 ,  輝度 ,  *テキスチャード加工 ,  構造
準シソーラス用語： GaN ,  LED ,  交差指電極 ,  *光抽出効率 ,  電極構造

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ウエハ接合 ,  薄膜 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  研究