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J-GLOBAL ID：201002247269113179   整理番号：10A1340378

熱電気のためのナノ構造インターフェイス

Nanostructured Interfaces for Thermoelectrics

著者 (8件)： GAO Y. (Stanford Univ., CA, USA) ,  MARCONNET A. M. (Stanford Univ., CA, USA) ,  PANZER M. A. (Stanford Univ., CA, USA) ,  LEBLANC S. (Stanford Univ., CA, USA) ,  DOGBE S. (Stanford Nanofabrication Facility, CA, USA) ,  EZZAHRI Y. (Univ. California at Santa Cruz, CA, USA) ,  SHAKOURI A. (Univ. California at Santa Cruz, CA, USA) ,  GOODSON K. E. (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 9  ページ： 1456-1462  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱電気モジュールにおける機能性材料,電極,熱交換器の間のインターフェイスについて検討した。ナノ秒の熱反射技術を使用して,標準の高温熱電気材料であるSiGeにおける,金属コート配列多壁カーボンナノチューブCNTの熱的特性について調べた。CNTは,温度800°C以上でSiGe上で成長する。SiGeサンプルは,分子ビームエピタキシーを使用して造った。CNTフィルムの周りのインターフェース抵抗が支配的で,境界抵抗がCNTフィルムの周りに凝着層を設けることによって低減できることがわかった。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *インタフェイス ,  熱電気変換 ,  熱交換器 ,  カーボンナノチューブ ,  *熱電材料 ,  付着 ,  ケイ素合金 ,  MBE成長
準シソーラス用語： 凝着 ,  SiGe合金 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱電気 ,  ナノ構造 ,  インターフェイス