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J-GLOBAL ID：201002247419484472   整理番号：10A0931586

コンビナトリアル材料科学の新展開 フラックス材料のコンビナトリアル探索

著者 (2件)： 高橋竜太 (東大 物性研) ,  松本祐司 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
巻： 45  号： 9  ページ： 724-727  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フラックス法はバルク単結晶を作製する一手法であるが,薄膜結晶の作製にも有効であり,これを「フラックスエピタキシー」と名付けた。本稿では,コンビナトリアル手法を用いてBi₄Ti₃O₁₂強誘電体薄膜結晶に最適なフラックス材料を探索した実験について解説した。3成分組成傾斜薄膜法,厚膜傾斜法,一括XRDによるコンビナトリアル法を利用し,Cu酸化物フラックスおよびナノ摩天楼構造のV酸化物フラックスを発見した。1)実験方法:コンビナトリアルPLD法,2)Cu酸化物フラックスの発見:コンビナトリアル一括XRDによるスクリーニング,電流電圧特性,微細組織,3)V酸化物フラックスの発見:断面SEM像,圧電特性,強誘電性。

シソーラス用語： 材料科学 ,  *コンビナトリアルケミストリー ,  *薄膜成長 ,  フラックス法 ,  *強誘電体 ,  チタン酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  依存性 ,  化学組成 ,  可変性 ,  X線回折 ,  ナノ構造 ,  酸化銅 ,  酸化バナジウム ,  レーザ蒸着 ,  スクリーニング ,  スループット ,  電流電圧特性 ,  微細構造 ,  特性 ,  強誘電性 ,  エピタクシー ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： コンビナトリアル ,  コンビナトリアルライブラリー ,  チタン酸ビスマス ,  組成依存性 ,  ハイスループット ,  微細組織 ,  圧電特性 ,  エピタキシャル成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (11件)：

• ELWELL, D. Crystal Growth from High-Temperature Solutions. 1975
• YUN, K. S. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 61-63
• MATSUMOTO, Y. J. Cryst. Growth. 2005, 275, 325-330
• TAKAHASHI, R. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 485-491
• OHKUBO, I. J. Cryst. Growth. 2003, 247, 105-109

タイトルに関連する用語 (4件)： 材料科学 ,  展開 ,  フラックス ,  探索