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J-GLOBAL ID：201002247523289495   整理番号：10A0350386

f_maxが300GHzのAlGaN/GaN HEMT

AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz f_max

著者 (4件)： CHUNG Jinwook W. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  HOKE William E. (Raytheon Integrated Defense Systems, MA, USA) ,  CHUMBES Eduardo M. (Raytheon Integrated Defense Systems, MA, USA) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 3  ページ： 195-197  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリ波電力増幅応用のため,記録的な電力利得カットオフ周波数(f_max)をもつゲートリセス型AlGaN/GaN HEMTを報告した。低損傷ゲートリセス技術,ソースドレイン距離縮尺,リセス型ソースドレインOhm接触を組合せ,短チャネル効果を最小化すると共に寄生抵抗を大幅に抑圧した。SiCを基板とするゲート長60nmのHEMTで,卓越した性能を得た。f_max=300GHzは,窒化物系トランジスタの最高記録である。

シソーラス用語： *HEMT ,  利得 ,  *遮断周波数 ,  短チャネル効果 ,  電気抵抗 ,  半導体材料 ,  窒化ガリウム ,  素子構造 ,  周波数 ,  炭化ケイ素 ,  リセス構造 ,  発振周波数 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  パワーゲイン
準シソーラス用語： AlGaN ,  *GaN HEMT ,  寄生抵抗 ,  電力利得

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT