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J-GLOBAL ID：201002247569251433   整理番号：10A1080343

窒化物ベース半導体ナノスピントロニクス

著者 (1件)： ZHOU Yikai (大阪大 産科研)
資料名： 生産と技術  (季刊誌生産と技術)
巻： 62  号： 4  ページ： 28-30  発行年： 2010年10月10日 
JST資料番号： F0270A  ISSN： 0387-2211  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 白色LEDの材料でもあるGaNに遷移金属および稀土類元素を添加し,室温強磁性半導体GaCrNの作製に成功した。また,この新材料用いて,GaCrN/AlN/GaCrN三層構造によるトンネルダイオードを作製し,トンネル磁気抵抗効果の観測し成功した。希土類元素添加窒化物半導体GaGdNとGaGdN/AlGaN超格子構造のユニークな特性についても紹介した。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *スピントロニクス ,  遷移金属 ,  添加物効果 ,  窒化ガリウム ,  *磁性半導体 ,  窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  クロム化合物 ,  窒化アルミニウム ,  *トンネルダイオード ,  磁気抵抗効果 ,  TMR素子 ,  超格子 ,  光ルミネセンス ,  磁場効果
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗効果 ,  トンネル磁気抵抗効果素子 ,  *希薄磁性半導体 ,  三層構造

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 窒化物 ,  ナノスピントロニクス