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J-GLOBAL ID：201002247639251916   整理番号：10A0778933

in situ気体流モニタリングと制御を使ったエッチング性能向上

Improving etch performance using in situ gas flow monitoring and control

著者 (3件)： VENKATESH Mukund (Pivotal Systems, CA, USA) ,  MONKOWSKI Joseph (Pivotal Systems, CA, USA) ,  BOYD Kevin (IBM, NY, USA)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 53  号： 7  ページ： 20-22  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 45nm以降の半導体プロセスにおいては,ウエハ間,チャンバ間の気体流制御の正確性と再現性が,プロセスの安定性保証,歩留り向上やツール生産性の向上にとって非常に重要になっている。本稿では,高精度in situ気体流モニタリング(GFM)システムと制御法について述べた。このin situ GFMシステムは,ウエハ処理中にMFC(マスフローコントローラ)の上流のガススティック内の圧力損失率を測定し,フィードバック制御により自動的に気体流を~3秒以内に調整する。この測定法はMFCの性能に影響を与えない。この方法をIBM社Fishkill工場のプラズマエッチング量産工程に適用した結果を紹介した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *気体流 ,  監視 ,  プラズマエッチング ,  制御装置 ,  *流量制御 ,  圧力損失 ,  フィードバック制御 ,  歩留り ,  生産性向上 ,  再現性 ,  *超LSI
準シソーラス用語： マスフローコントローラ ,  連続モニタリング

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 気体流 ,  モニタリング ,  エッチング ,  性能向上