文献

J-GLOBAL ID：201002247817149055   整理番号：10A0426374

ポリ(p-ガルビノキシルスチレン)と光電荷分離能

著者 (5件)： 斎藤孝和 (早稲田大 理工) ,  高橋央 (早稲田大 理工) ,  加藤文昭 (早稲田大 理工) ,  小柳津研一 (早稲田大 理工) ,  西出宏之 (早稲田大 理工)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 90th  号： 3  ページ： 907  発行年： 2010年03月12日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ポリ(p-ガルビノキシルスチレン)(PGSt)は,0 V(vs. Ag / AgCl)に安定なn型酸化還元能を有するポリマーであり,その電位から有機色素等の励起電子の授受可能性を示した。PGSt薄膜を光電変換素子へ適用し,光照射下で0.6 Vと酸化還元電位差に相当する特性が得られ,光電変換材料として応用可能であった。(著者抄録)

シソーラス用語： 酸化還元反応 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  高分子薄膜 ,  酸化還元電位 ,  消光 ,  特性 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  色素 ,  *電子移動 ,  *蛍光減衰 ,  酸化還元高分子 ,  高分子ラジカル ,  分離 ,  *ポリアクリル酸エステル ,  *共重合 ,  脂環式化合物 ,  キノイド化合物 ,  共役ジエン ,  アリールオキシルラジカル ,  エノン
準シソーラス用語： *ポリガルビノキシルスチレン ,  蛍光消光 ,  *光電変換 ,  高分子合成 ,  電気化学的特性

分類 (4件)： 光化学反応,ラジカル反応  (CF02090A) ,  電気化学一般  (CB07010N) ,  共重合  (CG04030D) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： ガルビノキシル