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J-GLOBAL ID：201002248845305859   整理番号：10A0731663

22nm以下のノード用の先端的自己整列DP工程の開発

Advanced self-aligned DP process development for 22-nm node and beyond

著者 (8件)： HARA Arisa (Tokyo Electron LTD Leading-edge Process Dev. center) ,  NISHIMURA Eiichi (Tokyo Electron AT LTD AT-Technol. Dev. Center, Yamanashi, JPN) ,  KUSHIBIKI Masato (Tokyo Electron AT LTD AT-Technol. Dev. Center, Yamanashi, JPN) ,  YAMAUCHI Shoichi (Tokyo Electron LTD Leading-edge Process Dev. center) ,  NATORI Sakurako (Tokyo Electron LTD Leading-edge Process Dev. center) ,  YABE Kazuo (Tokyo Electron LTD Leading-edge Process Dev. center) ,  OYAMA Kenichi (Tokyo Electron LTD Leading-edge Process Dev. center) ,  YAEGASHI Hidetami (Tokyo Electron LTD Leading-edge Process Dev. center)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7639  号： Pt.2  ページ： 76391T.1-76391T.7  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトリソグラフィーによる微細加工技術は波長と開口数の改善に主に依存してきた。これ迄の193nm露光技術を拡張するための幾つかの方法が開発されており,22nmノード用には二重露光(DP)法が最も有望である。本研究ではスペーサDP工程を用いて22nmへピッチを倍加する方法を実験で調べた。この方法は30nmのパターン形成で既に実証されている。スペーサDP工程の各段階における線幅粗さを示した。また,40nmと20nmに対するプロセス窓を比較した。スペーサDP工程を用いて,波型と島状構造のパターンを形成した。

シソーラス用語： *多重露光 ,  自己整合 ,  *フォトリソグラフィー ,  回路パターン形成 ,  *半導体プロセス ,  表面粗さ ,  許容範囲
準シソーラス用語： *二重露光 ,  自己整列 ,  線幅粗さ ,  プロセス窓 ,  プロセスウィンドウ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ノード ,  自己整列 ,  DP ,  開発