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J-GLOBAL ID：201002248847359131   整理番号：10A0177357

原子的に平坦な膜上の液体ゲート界面超伝導

Liquid-gated interface superconductivity on an atomically flat film

著者 (10件)： YE J.T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  INOUE S. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOBAYASHI K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KASAHARA Y. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YUAN H.T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YUAN H.T. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  SHIMOTANI H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMOTANI H. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  IWASA Y. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IWASA Y. (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 9  号： 2  ページ： 125-128  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気2重層トランジスター(EDLTs)は電界効果トランジスター(TFT)の一種である。半導体表面にソースおよびドレイン電極を形成し,イオン性液体をゲートとした構造となっている。ゲートに電圧を印加すると正イオンは半導体チャンネル表面に集まり電気2重層を形成し,キャパシターとして動作する。電界を大きくしていくと2次元電子が超伝導状態に転移することが報告されている。本研究では,表面の原子的平坦性を確保するためにZrNCl層状結晶をへき開し,ゲート用イオン性液体としてDEME-TFSIを用いてEDLTsを作製し,特性を評価した。その結果,従来のSrTiO₃の超伝導転移温度0.4Kよりも高い15.2Kを得ることが出来た。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  化合物半導体 ,  ジルコニウム化合物 ,  窒化物 ,  塩化物 ,  イオン液体 ,  電極 ,  アンモニウム化合物 ,  電流電圧特性 ,  *超伝導 ,  温度依存性 ,  電気二重層
準シソーラス用語： ゲート電極

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子 ,  ゲート ,  界面 ,  超伝導