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J-GLOBAL ID:201002249450726851   整理番号:10A0338663

ウェットブラスト加工に関する基礎的研究(投射固体粒子径の単結晶Siウェハの加工メカニズムへの影響)

A Fundamental Study of Wet Blast Processing (Solid Particle Size Effects on Processing Mechanism of Monocrytalline Silicon Wafer)
著者 (4件):
資料名:
巻: 76  号: 763  ページ: 741-748  発行年: 2010年03月25日 
JST資料番号: F0045B  ISSN: 0387-5024  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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微粒子を用いたウェットブラスト技術は半導体や電気・電子部品の表面微細加工法として期待される。その表面の加工メカニズムを解明するために,著者らは単結晶Siウェハに対して投射粒子(アルミナ)の大きさを18.3~1.2μmに変えた投射試験を行い,単一の粒子による表面の破壊除去機構と多量の粒子の投射による表面形状の変化を観察した。単一の粒子による表面の破壊除去は粒子径約3μm以上ではラテラルクラックによる脆性破壊が,3μm以下では材料の塑性変形あるいは微小な切削による延性破壊に支配されることがわかった。多量の粒子投射後の表面は単一の粒子による衝突痕の重畳により粒子径に依存した凸凹形状を有する加工面になる。すなわち,大きな粒子では脆性破壊の衝突痕同士の繋がりによるのに対して,小さな粒子では塑性変形あるいは延性破壊により除去され,除去量と表面粗さが小さくなることが明らかになった。(著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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