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J-GLOBAL ID：201002249526114621   整理番号：10A0884301

埋込みSiO₂ピラーと空気間隙配列構造を有するGaN系発光ダイオード

GaN-based light emitting diodes with embedded SiO₂ pillars and air gap array structures

著者 (6件)： LAI Wei-chih (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...) ,  YANG Ya-yu (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...) ,  PENG Li-chi (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...) ,  YANG Shih-wei (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...) ,  LIN Yu-ru (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...) ,  SHEU Jinn-kong (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 8  ページ： 081103  発行年： 2010年08月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高さの異なる埋込みSiO₂ピラーと空気間隙配列構造を有するGaN系発光ダイオード(LED)を実証した。SiO₂ピラー上部の空気間隙は増強エピタキシャル横方向成長モードを用いて実現した。埋込みSiO₂ピラーと空気間隙配列構造を用いることで,横方向成長で誘起した結晶品質が向上し,逆漏れ電流が低下した。また,通常のLED,高さ200nmと500nmの埋込みSiO₂ピラーと空気間隙を有するLED,高さ500nmのSiO₂ピラーと空気間隙を持つLED,高さ700nmと400nmのSiO₂ピラーと空気間隙を持つLEDに対する出力パワーは,20mAの電流注入下でそれぞれ3.04,4.23,4.66,4.44mWであった。高さ500nmのSiO₂ピラーと高さ500nmの空気間隙配列構造は,導光散乱効率の増大故に,LED出力パワーを>50%増強し得ることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  二酸化ケイ素 ,  半導体材料 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  エピタクシー ,  漏れ電流
準シソーラス用語： *ナノピラー

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋込み ,  SiO2 ,  ピラー ,  空気間隙 ,  GaN ,  発光ダイオード