文献

J-GLOBAL ID：201002249695429259   整理番号：10A0159071

Cat-CVD技術

著者 (1件)： 松村英樹 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 61  号： 2  ページ： 200  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 創立60周年記念号「最近の技術の進歩」トピックス。触媒化学気相堆積(Cat-CVD)法は,加熱した触媒体との接触分解反応を利用して原料ガス分子を分解する方法である。触媒体として加熱金属線を用いることが多いため,「Hot Wire CVD法」とも呼ばれる。本法では放電設備が不要なため装置設計の自由度が増し,基板への放電による損傷がない。原料ガス分子「点」と触媒体表面「面」の2次元反応を用いるので,「点」と「点」の衝突を用いるPECVD法より原料ガス利用効率が5~10倍向上する。最近では種々の原料ガス(水素,メタン,水,アンモニア,シランなど)と触媒体(W,Ta,SUS304など)を組合せが多数見出されている。本法は低温堆積法として注目され,太陽電池,半導体レーザ,超高周波デバイスなどに利用されている。

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *化学蒸着 ,  触媒反応 ,  触媒 ,  接触分解 ,  分解反応 ,  *蒸着装置 ,  効率 ,  気体 ,  水素 ,  水 ,  アンモニア ,  シラン ,  化学合成 ,  太陽電池 ,  半導体薄膜 ,  半導体レーザ ,  アルカン
準シソーラス用語： 触媒化学気相成長 ,  触媒体 ,  ホットワイヤCVD ,  利用効率 ,  低温合成 ,  薄膜太陽電池

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (4件)：

• 1) 中山 弘監修;触媒CVD(Cat-CVD)の新展開-ラジカルを用いる新プロセス技術- (シーエムシー出版,2008).
• 2) 松村英樹;応用物理,77, 291 (2008).
• 3) H. Umemoto, K. Ohara, D. Morita, Y. Nozaki, A. Masuda and H. Matsumura ; Appl. Phys., 91, 1650 (2002).
• 4) A. Izumi and H. Matsumura ; Jpn. J. Appl. Phys., 41, 4639 (2002).

タイトルに関連する用語 (1件)： Cat-CVD