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J-GLOBAL ID：201002249959951633   整理番号：10A0874592

グラフェンをシリコンの上に

著者 (1件)： 末光眞希 (東北大 電通研)
資料名： 化学と教育  (Chemistry & Education)
巻： 58  号： 8  ページ： 362-363  発行年： 2010年08月20日 
JST資料番号： G0942A  ISSN： 0386-2151  CODEN： KAKYEY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板に関連するグラフェンの性質,製法,使用法などを紹介する。グラフェンは最高に薄い,強い物質で,20万cm²/V/sという巨大な電子移動度を有する。グラフェンがこのように大きな電子移動度を示すのはグラフェン中の電子が光やニュートリノのようにあたかも質量ゼロの粒子のように振舞うからである。グラフェン・オン・シリコン(GOS)技術はSi基板上に100nm程度の極薄SiC膜を形成し,その最表面をグラフェン化するものでSiテクノロジーとグラフェンを融和させる技術として注目されている。グラフェン化の様子は低速電子線回折やラマン散乱実験で確認される。グラフェンの一層の高品質化がGOS技術の今後の課題である。

シソーラス用語： *グラファイト ,  キャリア移動度 ,  *ウエハ【IC】 ,  超薄膜 ,  カーボンナノチューブ ,  フラーレン ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  Si基板

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (1件)：

• 末光眞希. 真空. 2010, 53, 80

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  シリコン