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J-GLOBAL ID：201002259084021535   整理番号：10A0331552

グラフェン・オン・シリコン技術

Graphene-on-Silicon Technology

著者 (2件)： 末光眞希 (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ.) ,  末光眞希 (JST-CREST)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 53  号： 2  ページ： 80-84 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超高移動度で注目を集めるグラフェンの現状を概観し,このグラフェンをSi基板上に形成するグラフェン・オン・シリコン技術について紹介した。まず,半導体材料としてのグラフェンの現状と課題について触れた後,その工業化に対する一つの解として筆者らが提案しているグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術について紹介した。有機シラン・ガスソースMBE法を用いてSi基板上に薄膜の3C-SiC薄膜を形成し,同薄膜を熱処理することで,数層のグラフェンをSi基板上に形成することが可能である。超薄膜(~100nm)SiC膜をSi上に形成し,表面を1200°C以上で真空中アニールすることによってSi基板上に数層のグラフェンが形成される。グラフェン・オン・シリコン(GOS)技術は,10nmノード以降の展望が見えないSi技術を新たに牽引するものとして,更なる発展が期待される。

シソーラス用語： *素子構造 ,  *グラファイト ,  *MBE成長 ,  炭化ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  *熱分解 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： GOS構造 ,  *ガスソースMBE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (36件)：

• 1) K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva and A. A. Firsov: Science, 306 (2004) 666.
• 2) K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos and A. A. Firsov: Nature, 438 (2005) 197.
• 3) Y. Zhang, Y-W. Tan, H. L. Stormer and P. Kim: Nature, 438 (2005) 201.
• 4) A. K. Geim and K. S. Novoselov: Nat. Mat., 6 (2007) 183.
• 5) A. K. Geim and A. H. MacDonald: Phys. Today, 60 (2007) 35.