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J-GLOBAL ID：201002250476564696   整理番号：10A0677574

α-正方晶系ホウ素の結晶及び電子構造の第一原理の検討

First-principles study of the crystal and electronic structures of α-tetragonal boron

著者 (2件)： HAYAMI Wataru (Exploratory Nanomaterials Res. Lab., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  OTANI Shigeki (Exploratory Nanomaterials Res. Lab., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 183  号： 7  ページ： 1521-1528  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算によって,α-正方晶系(α-t)ホウ素の結晶及び電子構造を調査した。単位格子の50個の原子を仮定した単純モデルの適用では,α-tホウ素が金属密度の状態であり,p型半導体であるという試験的な事実を否定することを示した。4c部位の追加的な2つの層間のホウ素原子は,α-tホウ素半導体となり,最も安定していた。原子当たりの凝集エネルギーは,α-及びβ-菱面体ホウ素と同じぐらい高く,これは,α-tホウ素が予想よりも簡単に生成されることを示唆した。ナノベルト形態の試験的に得られたα-tホウ素は,8i部位に約2つの格子間原子を有していた。8i部位の弱い電位が低エネルギーのフォノンモードを生成し,エントロピーを増加させて,高温で自由エネルギーを減少させるものと考えられた。電子帯構造の計算は,最も高い価電子帯がΓからXよりΓからZで大きな分散をしていることを示した。これは,正孔伝導での強い不等屈性を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *第一原理 ,  *ホウ素 ,  正方晶系 ,  *電子構造 ,  *結晶構造 ,  密度汎関数法 ,  自由エネルギー
準シソーラス用語： DFT【関数】 ,  第一原理計算

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 正方晶系 ,  ホウ素 ,  結晶 ,  電子構造 ,  第一原理