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J-GLOBAL ID：201002250623156272   整理番号：10A0157381

Ga₂O₃の炭素熱還元窒化法によるGaN結晶成長に関する研究

著者 (3件)： 横山大輝 (北大 大学院) ,  三浦章 (北大 大学院) ,  嶋田志郎 (北大 大学院)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 48th  ページ： 64  発行年： 2010年01月12日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *結晶成長 ,  *窒化ガリウム ,  還元 ,  *熱化学反応 ,  窒化 ,  酸化ガリウム ,  アンモニア ,  ドーピング ,  カドミウム ,  スズ ,  反応生成物 ,  相組成 ,  表面構造 ,  結晶構造 ,  成長速度 ,  炭素熱還元 ,  表面形態 ,  改変 ,  構造

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga2O3 ,  炭素熱還元 ,  窒化法 ,  GaN ,  結晶成長 ,  研究