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J-GLOBAL ID：201002250704471814   整理番号：10A1021695

三十年間にわたるIII-V化合物半導体光学素子の劣化研究について

On Degradation Studies of III-V Compound Semiconductor Optical Devices over Three Decades: Focusing on Gradual Degradation

著者 (1件)： UEDA Osamu (Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 9,Issue 1  ページ： 090001.1-090001.8  発行年： 2010年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1970年代初期から三十年間以上にわたって研究してきた半導体光学素子の信頼性について述べた。まず,光学素子開発と信頼性研究を遡及的に展望した。次に,光学素子の三種類の主要な劣化モード(急速劣化,緩慢劣化,破滅的故障)について概説した。さらに,研究の系統的議論への導入として,1970年代と1980年代に行われた急速劣化の古典的研究の結果を示し,緩慢劣化の顕著な研究に繋げた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *光学素子 ,  劣化 ,  *機構 ,  劣化故障 ,  試験 ,  信頼性
準シソーラス用語： 性能劣化 ,  *劣化機構 ,  長期試験 ,  長期信頼性

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (38件)：

• I. Hayashi, M. B. Panish, P. W. Foy, and S. Sumski: Appl. Phys. Lett.17(1970)109.
• S. Guha, J. M. DePuydt, M. A. Haase, J. Qui, and H. Cheng: Appl. Phys. Lett.63(1993)3107.
• S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys.35(1996) L74.
• O. Ueda: J. Electrochem. Soc.135(1988)11C.
• O. Ueda: Reliability and Degradation of III-V Optical Devices (Artech House, Norwood, MA, 1996).

タイトルに関連する用語 (3件)： III-V化合物半導体 ,  光学素子 ,  研究