InGaNに基づいた多重量子井戸構造レーザダイオード

文献

J-GLOBAL ID：200902128294675793 整理番号：96A0228132

InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes.

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資料名：
巻： 35 号： 1B ページ： L74-L76 発行年： 1996年01月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

InGaN多重量子井戸(MQW)構造のレーザダイオード(LD...

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半導体レーザ

引用文献 (17件)：

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