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J-GLOBAL ID：201002250739939606   整理番号：10A0594831

積層欠陥を横方向で周期的に挿入したAg薄膜の電子準位

Electronic states of Ag thin films with a laterally periodic insertion of stacking faults

著者 (2件)： KOBAYASHI Katsuyoshi (Ochanomizu Univ., Tokyo, JPN) ,  UCHIHASHI Takashi (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 15  ページ： 155418.1-155418.12  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *金属薄膜 ,  *銀 ,  *積層欠陥 ,  *電子状態 ,  密度汎関数法 ,  強束縛近似 ,  光透過 ,  反射率 ,  数値計算
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  層間挿入

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 積層欠陥 ,  横方向 ,  Ag ,  薄膜 ,  電子