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J-GLOBAL ID：201002250748160719   整理番号：10A0609123

高分解能電子ビームリソグラフィー用の新規な有機シリケート高分子レジスト

Novel Organosilicate Polymer Resists for High Resolution E-Beam Lithography

著者 (8件)： SIM Jae Hwan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sung-Il (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Hae-Jeong (National Inst. of Standards and Technol., Maryland) ,  KASICA Richard (National Inst. of Standards and Technol., Maryland) ,  KIM Hyun-Mi (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SOLES Christopher L. (National Inst. of Standards and Technol., Maryland) ,  KIM Ki-Bum (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Do Y. (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 22  号： 10  ページ： 3021-3023  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 既存の水素シルセスキオキサン(HSQ)レジストより高感度,高安定性で,優れたLER(line edge roughness)値を有する新規な高分解能電子ビームリソグラフィー用の有機シリケート高分子レジスト(EBLP)を2種類開発した。一つは,トリエトキシシラン(TES)とノルボルネンエチルトリメトキシシラン(NETMS)を7:3モル比で共重合したNH37である。もう一方は,p-クロロメチルフェニルトリメトキシシランとNETMSを8:2モル比で共重合したCN82である。これら2種のEBLPはHSQレジストより,グレーチング幅sub-20-nm高感度,分解能比較試験で優れた結果を示した。

シソーラス用語： *電子ビーム ,  *ポリシルセスキオキサン ,  *有機ケイ素化合物 ,  LSI【IC】 ,  シクロアルケン ,  架橋化合物 ,  ポリノルボルネン ,  電子ビームリソグラフィー ,  電子線レジスト ,  高分解能 ,  高感度
準シソーラス用語： ノルボルネン誘導体 ,  水素シルセスキオキサン

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (3件)： トリエトキシシラン ,  (1β,4β)-5β-[2-(トリメトキシシリル)エチル]ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エン ,  1-(トリメトキシシリル)-4-(クロロメチル)ベンゼン

タイトルに関連する用語 (4件)： 高分解能 ,  電子ビームリソグラフィー ,  シリケート ,  分子レジスト