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J-GLOBAL ID:201002250949951447   整理番号:10A0421400

NEXAFSにより解明したシリコン上の共有単一層内の予期せぬC=C結合

Unanticipated C=C Bonds in Covalent Monolayers on Silicon Revealed by NEXAFS
著者 (5件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 1512-1515  発行年: 2010年02月02日 
JST資料番号: A0231B  ISSN: 0743-7463  CODEN: LANGD5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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X線吸収端微細構造分光法により,シリコン上に1-オクテンから生成したほとんどの基本的な有機共有単一層は,得られた分子の1/5~2/5で二重結合を保っていることを示した。大部分の飽和単一層中で不飽和が通常の規則性を乱し,規則性に依存した界面の性質に影響を与える。熱ヒドロシリル化と化学力学法の2つの方法で生成した単一層に不飽和の存在を確認したことにより,シリコン上に共有単一層を生成するラジカルをベースとした他の方法の再評価を促す。
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分類 (3件):
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固-固界面  ,  無機化合物一般及び元素  ,  アルケン 
物質索引 (1件):
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